Advanced SemiconductorDevices1

This ultimate free application is for all engineering students across the world. It covers 169 topics of Advance Semiconductor Devices in detail. These 169 topics are divided in 5 units.

Each topic is around 600 words and is complete with diagrams, equations and other forms of graphical representations along with simple text explaining the concept in detail.

This USP of this application is "ultra-portability". Students can access the content on-the-go from anywhere they like.

Basically, each topic is like a detailed flash card and will make the lives of students simpler and easier.

Some of topics Covered in this application are:

1. The Haynes-Shockley Experiment

2. Semiconductor Materials

3. Crystal Lattice

4. Cubic Lattices

5. Planes and Directions

6. The Diamond Lattice

7. Bulk Crystal Growth

8. Growth of Single Crystal Ingots

9. Wafers

10. Epitaxial growth

11. Vapor-phase epitaxy

12. Molecular beam epitaxy

13. Charge Carriers in Semiconductors

14. Effective Mass

15. Intrinsic Material

16. Extrinsic Material

17. Electrons and Holes in Quantum Wells

18. The Fermi Level

19. Compensation and Space Charge Neutrality

20. Drift and Resistance

21. Optical absorption

22. Photoluminescence

23. Electroluminescence

24. Carrier Lifetime and Photoconductivity

25. Direct Recombination of Electrons and Holes

26. Indirect Recombination; Trapping

27. Steady State Carrier Generation; Quasi-Fermi Levels

28. Photoconductive Devices

29. Diffusion Processes

30. Diffusion and Drift of Carriers: Built-in Fields

31. Diffusion and Recombination; The Continuity Equation

32. Steady State Carrier Injection: Diffusion Length

33. Gradients in the Quasi-Fermi Levels

34. Temperature Dependence of Carrier Concentrations

35. Effects of Temperature and Doping on Mobility

36. High-Field Effects

37. The Hall Effect

38. Fabrication of p-n Junctions: Thermal oxidation

39. Diffusion of P-N junction

40. Rapid Thermal Processing

41. Ion Implantation

42. Chemical Vapor Deposition (CVD)

43. Photolithography

44. Etching

45. Metallization

46. Equilibrium Conditions

47. Equilibrium Fermi Levels

48. Space Charge at a Junction

49. Forward- and Reverse-Biased Junctions

50. Carrier Injection

51. Reverse Bias

52. Reverse-Bias Breakdown

53. Zener Breakdown

54. Avalanche Breakdown

55. Rectifiers

56. The Breakdown Diode

57. Transient and A-C Conditions

58. Reverse Recovery Transient

59. The Ideal Diode Model

60. Effects of Contact Potential on Carrier Injection

61. Switching Diodes

62. Capacitance of p-n junctions

63. Recombination and Generation in the Transition Region

64. Ohmic Losses

65. Graded Junctions

66. Metal semiconductor junctions: schottky barriers

67. Current Transport Processes

68. Thermionic-Emission Theory

69. Diffusion Theory

70. Thermionic-Emission-Diffusion Theory

71. Rectifying Contacts

72. Tunneling Current

73. Minority-Carrier Injection

74. MIS Tunnel Diode

75. Measurement of Barrier Height

76. Activation-Energy Measurement

77. Photoelectric Measurement

78. Ohmic Contacts

79. Typical Schottky Barriers

80. Heterojunctions

81. Tunnel Diodes

82. Construction of Tunnel Diodes

83. The Backward Diode

84. MIM tunnel diode

85. Structure of resonant-tunneling diode

86. I-V characteristics of resonant-tunneling diode

87. Photodiodes

88. The Varactor Diode

89. Current and Voltage in an Illuminated Junction

90. Solar Cell- Working Principle

91. Solar Cell- I-V Characterstics

92. Photodetectors

93. Gain, Bandwidth, and Signal-to-Noise Ratio of photodetector

94. Light Emitting Diodes

95. Light Emitting Materials

96. Fiber-Optic Communications

97. Semiconductor lasers

98. Population Inversion at a Junction

99. Emission Spectra for p-n Junction Lasers

All topics are not listed because of character limitations set by the Play Store.이 궁극의 무료 응용 프로그램은 전세계 모든 엔지니어링 학생들을위한 것입니다. 그것은 세부 사항 사전 반도체 소자의 169 주제를 다룹니다. 이 169 주제는 5 단위로 분할된다.

각 주제는 약 600 단어이고 상세하게 개념을 설명하는 간단한 텍스트와 함께 다이어그램, 방정식과 그래픽 표현의 다른 형태의 완전하다.

이 응용 프로그램의이 USP는 "매우 이식성"입니다. 학생들은 어디서나 그들이 원하는에서 온 이동 콘텐츠에 액세스 할 수 있습니다.

기본적으로, 각 항목에 대한 자세한 플래시 카드처럼 학생들의 생활을 간단하고 쉽게 할 것이다.

이 응용 프로그램에서 다루는 내용의 일부는 다음과 같습니다 :

1. 헤인즈 - 쇼클리 실험

2. 반도체 재료

3. 크리스탈 격자

4. 입방 격자

5. 비행기와 방향

6. 다이아몬드 격자

7. 벌크 결정 성장

8. 단결정 잉곳의 성장

9. 웨이퍼

10. 에피 택셜 성장

11. 기상법

12. 분자 빔 에피 택시

13. 반도체의 전하 캐리어

14. 유효 질량

15. 내장 재료

16. 외부의 재질

17. 양자 우물에서 전자와 정공

18. 페르미 레벨

19. 보상 및 공간 충전 중립

20. 드리프트와 저항

21. 광 흡수

22. 광 발광

23. 전계

24. 캐리어 수명 및 광전

25. 전자와 정공의 직접 재조합

26. 간접 재조합; 트래핑

27. 정상 상태 캐리어 발생; 준 페르미 레벨

28. 광전 장치

29. 확산 과정

30. 캐리어의 확산 및 드리프트 : 내장 필드

31. 확산 및 재조합; 연속 방정식

32. 정상 상태 캐리어 주입 : 확산 길이

33. 준 페르미 레벨에서 그라데이션

34. 캐리어 농도의 온도 의존성

35. 이동성에 대한 온도 및 도핑의 효과

36. 하이 필드 효과

37. 홀 효과

38. P-N 접합의 제작 : 열 산화

39. P-N 접합의 확산

40. 급속 열 처리

41. 이온 주입

42. 화학 기상 증착 (CVD)

43. 석판 술

44. 에칭

45. 금속 화

46. 평형 조건

47. 평형 페르미 레벨

48. 정크 션에서 공간 전하

49. 정방향 및 역방향 바이어스 드 접합

50. 캐리어 주입

51. 역방향 바이어스

52. 역 바이어스 고장

53. 제너 고장

54. 눈사태 고장

55. 정류기

56. 고장 다이오드

57. 과도 및 A-C 조건

58. 복구 과도에게 반전

59. 아이디얼 다이오드 모델

60. 캐리어 주입에 연락 잠재력에 미치는 영향

61. 스위칭 다이오드

62. P-N 접합의 정전 용량

63. 전환 지역의 재조합 및 생성

64. 저항 손실

65. 등급 접합

66. 금속 반도체 접합 : 쇼트 키 장벽

67. 현재 전송 프로세스

68. 열전자 방출 이론

69. 확산 이론

70. 열전자 방출 확산 이론

71. 정류 연락처

72. 터널링 전류

73. 소수 민족 캐리어 주입

74. MIS 터널 다이오드

75. 장벽 높이의 측정

76. 활성화 에너지 측정

77. 광전 측정

78. 옴 연락처

79. 일반적인 쇼트 키 장벽

80. 이종

81. 터널 다이오드

82. 터널 다이오드의 건설

83. 뒤로 다이오드

84. MIM 터널 다이오드

85. 공진 터널링 다이오드의 구조

86. 공진 터널링 다이오드의 I-V 특성

87. 다이오드

88. 버 랙터 다이오드

89. 조명 정크 션의 전류 및 전압

90. 태양 전지 - 작동 원리

91. 태양 전지-I-V 보임

92. 광 검출기

93. 광 검출기의 이득, 대역폭, 및 신호 대 잡음비

94. 발광 다이오드

95. 발광 재료

96. 광섬유 통신

97. 반도체 레이저

98. 정크 션에서 인구 반전

99. pn 접합의 레이저에 대한 방출 스펙트럼

모든 주제 때문에 플레이 스토어에 의해 설정된 문자 제한으로 나열되지 않습니다.